Новости

    Новые лауреаты премии Завойского

    В Казанском физико-техническом институте им.Е.Завойского НКЦ РАН состоялся международный симпозиум "Современное развитие магнитного резонанса", в котором, кроме казанских физиков, приняли участие ученые из Москвы, Новосибирска, а также Германии и США.

    Они сделали и обсудили доклады о достижениях в области электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), открытого, как известно, в I944 году в Казанском университете молодым физиком Евгением Завойским.

    По традиции в рамках форума состоялось чествование нового лауреата Международной премии им.Е.Завойского. Торжественная церемония на этот раз проходила в Академии наук Татарстана. Председатель Международного комитета по присуждению этой премии, член-корреспондент Российской академии наук и академик АНТ Кев Салихов рассказал о заслугах лауреата. Им стал директор института исследования полимеров им.Макса Планка в городе Майнц, ученый с мировым именем, профессор Ханс Вольфганг Шписс, недавно избранный вице-президентом Международного общества магнитного резонанса. Престижной награды он удостоен за выдающиеся достижения в развитии импульсных методов магнитного резонанса для выяснения структуры и динамики супермолекулярных систем. Объединив методы ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса для понимания микроскопических свойств молекулярных систем и корреляции их с макроскопическими свойствами полимеров, он открыл в материаловедении новые пути для создания новых полимеров с контролируемыми свойствами.

    Диплом лауреата, премию и медаль Хансу Вольфгангу Шписсу вручили и поздравили его Кев Салихов и министр образования и науки РТ Альберт Гильмутдинов. На память о Казани лауреату подарили картину с видом Кремля и мечети Кул Шариф. Его поздравили также вице-президент АНТ Айрат Абдуллин, председатель Казанского научного центра РАН Олег Синяшин, проректор Казанского (Приволжского) федерального университета профессор Данис Нургалеев и другие.



    Читать полный текст (Газета "Республика Татарстан", 9 октября 2010 года)